ECR-PEMOCVD生长GaN RHEED图像研究

• 作者: 徐茵 曲钢 秦福文 郎佳红 顾彪
• 来源期刊: 应用激光
• 学科: 工学
• 关键词: RHEED ECR-PEMOCVD GaN Al2O3
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 31-35
• 页数: 5页
• 分类号: TP3
• 字数: 4767字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-372X.2004.01.009

摘要

通过在自制的电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)系统上装配反射高能电子衍射仪(RHEED),对外延GaN生长过程进行原位监测.通过分析研究RHEED图像确定衬底清洗、氮化、缓冲层生长、外延层生长的合适条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	40	235	8.0	14.0
5	顾彪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
9	徐茵	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	26	207	8.0	13.0
13	郎佳红	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	5	56	4.0	5.0