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OVC薄膜材料及其对CIGS薄膜太阳电池异质结的改进
OVC薄膜材料及其对CIGS薄膜太阳电池异质结的改进
作者:
孙云
朴英美
李长健
薛玉明
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
异质结
能带边失调值
CIGS
OVC
摘要:
通过实验制备得到OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuIn0.7Ga0.3Se2、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值△Ec、△Ev.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.
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文献信息
篇名
OVC薄膜材料及其对CIGS薄膜太阳电池异质结的改进
来源期刊
功能材料
学科
工学
关键词
异质结
能带边失调值
CIGS
OVC
年,卷(期)
2004,(z1)
所属期刊栏目
电功能材料及其应用
研究方向
页码范围
1009-1011
页数
3页
分类号
TM914.4+2
字数
2410字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.281
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
孙云
南开大学光电子所
33
390
11.0
19.0
2
李长健
南开大学光电子所
16
191
6.0
13.0
3
薛玉明
南开大学光电子所
9
117
5.0
9.0
4
朴英美
南开大学光电子所
3
36
2.0
3.0
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2000(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2001(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2004(0)
参考文献(0)
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引证文献(0)
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2014(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
2015(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
异质结
能带边失调值
CIGS
OVC
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
主办单位:
重庆材料研究院
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-9731
CN:
50-1099/TH
开本:
16开
出版地:
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
邮发代号:
78-6
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
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