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摘要:
通过实验制备得到OVC薄膜材料,并对其进行掺Cd处理,以提高其载流子浓度.然后根据CuIn0.7Ga0.3Se2、OVC、CdS、ZnO这4种半导体的相关材料参数和实验数据,画出了它们形成异质结前后的能带图,并计算得到它们的能带边失调值△Ec、△Ev.由此得出,在CIGS薄膜太阳电池中形成OVC后,大大改善了其异质结的结特性,从而也可以改善电池的性能.
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文献信息
篇名 OVC薄膜材料及其对CIGS薄膜太阳电池异质结的改进
来源期刊 功能材料 学科 工学
关键词 异质结 能带边失调值 CIGS OVC
年,卷(期) 2004,(z1) 所属期刊栏目 电功能材料及其应用
研究方向 页码范围 1009-1011
页数 3页 分类号 TM914.4+2
字数 2410字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.281
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙云 南开大学光电子所 33 390 11.0 19.0
2 李长健 南开大学光电子所 16 191 6.0 13.0
3 薛玉明 南开大学光电子所 9 117 5.0 9.0
4 朴英美 南开大学光电子所 3 36 2.0 3.0
传播情况
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2015(1)
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  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
异质结
能带边失调值
CIGS
OVC
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
功能材料
月刊
1001-9731
50-1099/TH
16开
重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
78-6
1970
chi
出版文献量(篇)
12427
总下载数(次)
30
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