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摘要:
深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型.本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证.
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文献信息
篇名 深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型
来源期刊 计算机与数字工程 学科 工学
关键词 MOSFET 玻耳兹曼传输方程 速度过冲效应 BSIM3模型
年,卷(期) 2004,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 4-7
页数 4页 分类号 TN403
字数 2988字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-9722.2004.05.002
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
MOSFET
玻耳兹曼传输方程
速度过冲效应
BSIM3模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
计算机与数字工程
月刊
1672-9722
42-1372/TP
大16开
武汉市东湖新技术开发区凤凰产业园藏龙北路1号
1973
chi
出版文献量(篇)
9945
总下载数(次)
28
总被引数(次)
47579
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