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深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型
深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型
作者:
沈绪榜
童建农
邹雪城
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
MOSFET
玻耳兹曼传输方程
速度过冲效应
BSIM3模型
摘要:
深亚微米MOSFET须应用玻耳兹曼传输模型.本文建立了一个基于物理假定的解析解模型,其特点是可以加入经典模型BSIM3v3,并通过模拟程序CMOSIS进行了模拟验证.
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内容分析
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内容分析
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关键词热度
相关文献总数
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(/年)
文献信息
篇名
深亚微米器件玻耳兹曼传输方程的实用解析模型
来源期刊
计算机与数字工程
学科
工学
关键词
MOSFET
玻耳兹曼传输方程
速度过冲效应
BSIM3模型
年,卷(期)
2004,(5)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
4-7
页数
4页
分类号
TN403
字数
2988字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1672-9722.2004.05.002
五维指标
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研究主题发展历程
节点文献
MOSFET
玻耳兹曼传输方程
速度过冲效应
BSIM3模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
计算机与数字工程
主办单位:
中国船舶重工集团公司第七0九研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1672-9722
CN:
42-1372/TP
开本:
大16开
出版地:
武汉市东湖新技术开发区凤凰产业园藏龙北路1号
邮发代号:
创刊时间:
1973
语种:
chi
出版文献量(篇)
9945
总下载数(次)
28
总被引数(次)
47579
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