六方碳化硅中的深能级缺陷

• 作者: C.D.Beling G.Brauer W.Anwand W.Skorupa 冯汉源 凌志聪 王建农 葛惟锟 陈旭东 龚敏
• 来源期刊: 物理
• 关键词: 六方碳化硅 电子辐照 深能级缺陷 正电子湮灭
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 786-790
• 页数: 5页
• 字数: 4193字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2004.11.002

摘要

文章作者利用深能级瞬态谱(DLTS), 正电子湮灭谱(PAS)和光致荧光谱(PL)等谱分析技术研究了六方碳化硅中具有电活性的深能级缺陷. 这些深能级缺陷分别通过不同能量的电子辐照、中子辐照, 或氦离子注入等产生. 经过研究和分析各种实验测试的相关图谱,作者给出了六方碳化硅中一些重要的深能级缺陷在可控辐照条件下产生和退火行为的研究结果以及这些深能级缺陷相关结构的实验依据.