退火处理对CdIn2O4薄膜光电特性的影响及温差电动势的研究

• 作者: 付光宗 廖克俊 张瑞俭 曹春兰 杨丰帆 王万录
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: CIO膜 光电特性 退火处理 温差电动势
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 35-37
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.8|TG156.2
• 字数: 1851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2004.03.010

摘要

研究了直流磁控反应溅射制备三元化合物CdIn2O4薄膜(简称CIO膜)的光电性质和温差电动势,及其反应气体中氧浓度和退火处理对CIO膜性质的影响.结果表明CIO膜在可见光区有良好的导电性和透光性,退火处理明显提高了膜的透光率和载流子浓度,这一影响对CIO的广泛应用具有重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王万录	重庆大学应用物理系	109	849	16.0	22.0
2	廖克俊	重庆大学应用物理系	66	513	12.0	19.0
3	付光宗	重庆大学应用物理系	7	51	4.0	7.0
4	杨丰帆	重庆大学应用物理系	6	25	3.0	4.0
5	张瑞俭	重庆大学应用物理系	3	15	3.0	3.0
6	曹春兰	重庆大学应用物理系	6	36	4.0	6.0