PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究

• 作者: 刘梅冬 周学东 夏冬林 赵修建
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锆钛酸铅(PZT)薄膜 PT种子层 sol-gel法 快速热处理 电滞回线 Ⅰ-Ⅴ特性
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 354-360
• 页数: 7页
• 分类号: TQ174|TB43
• 字数: 2956字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.02.016

摘要

以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O)、钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4)、硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/SiO2/Si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘梅冬	华中科技大学电子科学与技术系	41	707	16.0	25.0
2	周学东	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	31	188	8.0	12.0
3	赵修建	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	220	2735	25.0	43.0
4	夏冬林	武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室	43	437	11.0	20.0