IC设计中失配建模与仿真技术

• 作者: 崔健 戎蒙恬
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 失配 仿真 建模 相关性 傅立叶转换 工艺流程 良品率
• 年，卷（期）: 2004,（11）
• 所属期刊栏目: 设计新技术
• 页码范围: 43-48,57
• 页数: 7页
• 分类号: TN4
• 字数: 4190字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2583.2004.11.009

摘要

本文描述了芯片设计时全局失配和局部失配问题,介绍了一种综合性的解决失配建模和仿真的方法.局部器件间的失配同全局的工艺流程变化引起的失配问题一样都需要密切关注.电路的全局工艺参数变化和局部器件间的细微差异,都不可避免对参数失配造成影响.代工厂提供的五角模型在全局失配的仿真中已经得到应用.越来越多的人意识到局部失配问题在IC设计中更加重要.基于空间频率失配模型的分析方法可以很好地分析局部失配和全局失配产生的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戎蒙恬	上海交通大学电子工程系	229	1198	15.0	22.0
2	崔健	上海交通大学电子工程系	2	0	0.0	0.0