衬底温度对常压MOCVD生长的ZnO单晶膜的性能影响

• 作者: 戴江南 方文卿 江风益 熊传兵 王立 莫春兰 蒲勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD ZnO X射线双晶衍射 原子力显微镜 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1628-1633
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3237字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.016

摘要

以H2O作氧源,Zn(C2H5)2作Zn源,N2作载气,在50mm Al2O3(0001)衬底上采用常压MOCVD技术生长出高质量的ZnO单晶薄膜.用X射线双晶衍射、原子力显微镜和光致发光技术对样品进行了综合表征,报道了ZnO单晶膜的(102)非对称衍射结果.研究结果表明,在500～700℃范围内随生长温度升高,ZnO薄膜的双晶摇摆曲线半峰宽增宽,表面粗糙度减小,晶粒尺寸增大,在衬底温度为600℃时生长的ZnO膜的深能级发射最弱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫春兰	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	24	177	7.0	12.0
2	方文卿	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	23	200	8.0	13.0
3	王立	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	48	324	10.0	14.0
4	江风益	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	60	527	12.0	19.0
5	戴江南	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	10	86	5.0	9.0
6	熊传兵	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	23	157	7.0	11.0
7	蒲勇	南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心	15	108	6.0	10.0