Na1/2 Bi1/2 TiO3体系的电子结构与极化特性

• 作者: 周静 孙华君 徐庆 李月明 闵新民 陈文
• 来源期刊: 计算物理
• 学科: 化学
• 关键词: NBT 电子结构 B-O键强 极化性能
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 543-546
• 页数: 4页
• 分类号: O641
• 字数: 3131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-246X.2004.06.012

摘要

采用自洽场离散变分X.计算方法,研究了ABO3型钙钛矿结构无铅压电陶瓷Na1/2 Bi1/2 TiO3体系的电子结构,分析了A,B位元素取代对Na1/2 Bi1/2 TiO3压电陶瓷极化性能的影响.结果表明:NBT体系压电陶瓷材料存在自发极化,B位离子位移使铁电性增强,Ba,Sr与Mn离子A,B位复合取代可降低矫顽场、提高自发极化强度,从而提高材料的铁电性能,并通过实验对此结论进行了验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐庆	武汉理工大学材料科学与工程学院	100	1060	19.0	25.0
2	陈文	武汉理工大学材料科学与工程学院	216	1824	21.0	26.0
3	周静	武汉理工大学材料科学与工程学院	122	928	18.0	22.0
4	闵新民	武汉理工大学材料科学与工程学院	33	297	11.0	15.0
5	孙华君	武汉理工大学材料科学与工程学院	37	308	10.0	16.0
6	李月明	武汉理工大学材料科学与工程学院	13	271	11.0	13.0