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摘要:
通过一系列实验,对聚焦离子束诱发MOCVD的成膜机理进行了研究,给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型.发现随着离子束流的增大,薄膜淀积速率增大,但并非完全线性增加,薄膜中的C/Pt比例也随之变化,薄膜电阻率则随之降低,最后趋向恒定.研究结果对实际工作中的工艺参数选取和薄膜电学性质的改进都有一定价值.
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光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
AlGaN
GaN
金属有机化学气相淀积
气相寄生反应
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 聚焦离子束诱发金属有机化学气相淀积碳-铂薄膜
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 聚焦离子束 金属有机化学气相淀积 薄膜
年,卷(期) 2004,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1458-1463
页数 6页 分类号 TN305
字数 4353字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.11.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王家楫 复旦大学材料科学系 25 114 6.0 9.0
2 江素华 复旦大学材料科学系 13 50 3.0 7.0
3 唐凌 复旦大学材料科学系 3 6 2.0 2.0
传播情况
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引文网络
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2012(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
聚焦离子束
金属有机化学气相淀积
薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
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35317
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