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摘要:
描述了一种内置SRAM的640×480像素矩阵OLED-on-silicon单色微显示电路的设计.像素电流12 nA~1.6μA可调.每个像素点面积不超过400 μm2,信号最大扫描频率30 MHz.采用chartered CMOS 0.35μm 18 V高压工艺仿真设计,成功实现了OLED技术和CMOS工艺的结合.
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文献信息
篇名 640×480像素矩阵OLED-on-silicon微显示芯片设计
来源期刊 电视技术 学科 工学
关键词 硅上有机发光二极管 微型显示 静态随机读写存储器 有机发光二极管
年,卷(期) 2004,(12) 所属期刊栏目 信息终端
研究方向 页码范围 44-48
页数 5页 分类号 TN873+.3
字数 3359字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-8692.2004.12.014
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 冉峰 上海大学微电子研究与开发中心 107 529 10.0 18.0
2 徐美华 上海大学微电子研究与开发中心 55 378 10.0 17.0
3 陆超 上海大学微电子研究与开发中心 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
硅上有机发光二极管
微型显示
静态随机读写存储器
有机发光二极管
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电视技术
月刊
1002-8692
11-2123/TN
大16开
北京市朝阳区酒仙桥北路乙7号(北京743信箱杂志社)
2-354
1977
chi
出版文献量(篇)
12294
总下载数(次)
21
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