用电化学沉积法制备ZnO/Cu2O异质p-n结

• 作者: 刘益春 刘英麟 吕有明 张丁可 张吉英 杨桦 申德振 范希武
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 氧化亚铜 异质结
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 533-536
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2255字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.05.013

摘要

由于p型ZnO的制备仍然存在一定的困难,限制了ZnO在光电方面的应用,尤其是在发光二极管和激光器的实际应用,目前利用p型的透明半导体氧化物与n型ZnO制备异质p-n结,成为新的研究热点.选择p型导电Cu2O与ZnO制备出异质p-n结.Cu2O是一种典型的p型半导体材料,禁带宽度为2.1 eV,可见光范围的吸收系数较高.首次利用电化学沉积的方法制备了ZnO/Cu2O异质p-n结,研究了电沉积ZnO,Cu2O的生长机制和ZnO/Cu2O异质结的结构、光学和电学特性.