DPN MOS绝缘栅氮处理技术

• 作者: KIM Sung Lak ZHAO Richard 利定东 许志 黄英
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮处理技术 栅氧化 应用材料
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 集成电路制造技术
• 页码范围: 29-30
• 页数: 2页
• 分类号: TN305
• 字数: 1616字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.05.009

摘要

分析了90nm及其以上技术、栅氧化及其氮处理工艺的局限性,强调了等离子体氮处理技术在90nm及其以下技术中的必要性.介绍了应用材料公司DPN MOS绝缘栅氮处理技术,并出示了部分试验数据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	利定东		5	30	1.0	5.0
2	黄英		1	0	0.0	0.0
3	许志		4	35	2.0	4.0
4	KIM Sung Lak		1	0	0.0	0.0
5	ZHAO Richard		1	0	0.0	0.0