单晶硅上电沉积Cu／Co纳米多层膜及其巨磁电阻效应

• 作者: 姚素薇 张卫国 董大为 赵瑾
• 来源期刊: 磁流体发电情报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 电沉积 Cu/Co纳米多层膜 巨磁电阻 电阻效应 四探针法 纳米材料
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 414-417
• 页数: 4页
• 分类号: TB383

摘要

采用双脉冲控电位技术在单晶硅上沉积了一系列Cu/Co纳米多层膜，调制波长从200nm到5nm不等，用扫描电镜及X射线衍射对多层膜的调制结构进行了表征，采用四探针法测试多层膜的巨磁电阻(GMR)效应，研究了GMR与调制波长(λ)、铜的子层厚度(δCu)的关系：λ较大时，没有观察到明显的GMR效应；A<30nm时，GMR效应随λ减小而增大；而λ<8nm时，GMR值随铜层厚度的变化周期性振荡。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张卫国	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	137	1608	22.0	33.0
2	姚素薇	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	159	2047	26.0	36.0
3	赵瑾	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	25	298	9.0	17.0
4	董大为	天津大学化工学院杉山表面技术研究室	5	67	4.0	5.0