KH2PO4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应

• 作者: Kioussis Nicholas 刘长松
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: KDP 氢缺陷 缺陷反应
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: O4
• 字数: 1352字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2004.01.004

摘要

研究了非线性光学晶体材料KH2PO4(KDP)中不同带电状态的H缺陷的稳定性及其反应.从而以清晰的物理图像描绘了KDP材料暴露在强紫外线或X射线下性能下降的原因.研究发现,对于H间隙原子,当增加一个电子时,H间隙原子与主H原子发生作用,形成间隙H2分子并产生一个H空位,而增加一个空穴时H间隙原子与临近的主O原子形成氢氧键,这两种带电态的H间隙原子均切断KDP 材料中形成网络的氢键;对于H空位,增加一个空穴将导致形成"过氧化氢"桥结构.这些结果在原子层次上清楚地解释了实验所建议的缺陷反应机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘长松	中国科学院固体物理研究所	20	93	5.0	9.0