MBE生长AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变控制

• 作者: 唐田 唐雄心 张永刚 李爱珍 郑燕兰
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAsSb AlGaAsSb 应变
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 530-532
• 页数: 3页
• 分类号: TN2|TN3
• 字数: 1366字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.022

摘要

基于理论计算和实验,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究.结果表明,通过对材料中的As组份调节,可以对材料中的应变进行控制,达到良好的应变补偿效果,实验结果和理论计算相当吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑燕兰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	11	50	5.0	6.0
2	李爱珍	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0
3	张永刚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	66	595	12.0	21.0
4	唐雄心	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	2	10	2.0	2.0
5	唐田	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	18	3.0	3.0