SOI热光调制器

• 作者: 余金中 夏金松 樊中朝 王章涛 陈少武
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 多模干涉耦合器 调制器
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1315-1318
• 页数: 4页
• 分类号: TN252
• 字数: 1769字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.10.024

摘要

设计和制作了多模干涉马赫曾德型热光调制器.通过合理选择SOI光波导的埋层和包层的厚度,使制作出的调制器有良好的综合性能.调制器调制深度为91%,功耗为0.35W,调制速度约为27μs.减小多模干涉耦合器的设计误差和提高刻蚀均匀性可以改善调制器的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	110	703	13.0	21.0
2	樊中朝	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	13	220	8.0	13.0
3	陈少武	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	39	387	9.0	19.0
4	夏金松	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	12	71	5.0	8.0
5	王章涛	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室	5	25	3.0	5.0