低电阻率硼硫共掺杂金刚石薄膜的制备

• 作者: 何贤昶 戴永兵 李荣斌 沈荷生 胡晓君
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共掺杂 硼硫 n型 金刚石 电阻率
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 976-980
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3594字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.017

摘要

利用微波气相沉积方法制备了低电阻率的n型硫掺杂和硼硫共掺杂金刚石薄膜.质子激发X射线荧光测试表明硼硫共掺杂方法能够提高硫在金刚石中的溶解度;扫描电镜和Raman光谱的分析结果表明掺杂金刚石薄膜的晶粒较完整,薄膜中存在较多的非金刚石碳相.Hall效应测试表明薄膜的导电类型为n型,电阻率为0.0246·cm,载流子浓度为2.40×1017cm-3,Hall迁移率为103cm2/(V·s);较低的电阻率是薄膜中存在sp2键和掺入的硫杂质等多种因素作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈荷生	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	45	494	12.0	20.0
2	李荣斌	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	14	187	7.0	13.0
3	戴永兵	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	21	170	7.0	12.0
4	胡晓君	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	15	124	6.0	10.0
5	何贤昶	上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室	25	247	8.0	15.0