电磁脉冲场对典型微电子设备干扰与损伤效应的实验研究

• 作者: 周璧华 石立华 高成
• 来源期刊: 防雷
• 关键词: 电磁脉冲 电磁脉冲效应 脉冲电场 脉冲磁场 微电子设备
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 11-16
• 页数: 6页
• 语种: 中文

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石立华	解放军理工大学雷电与电磁脉冲研究所	80	659	15.0	21.0
2	周璧华	解放军理工大学雷电与电磁脉冲研究所	62	694	15.0	23.0
3	高成	解放军理工大学雷电与电磁脉冲研究所	37	534	14.0	22.0