硅表面直接化学镀镍研究

• 作者: 吴辉煌 杨防祖 胡光辉
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 化学
• 关键词: 硅单晶 化学镀镍 原子氢机理
• 年，卷（期）: 2004,（17）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1711-1715
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 3220字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2004.17.004

摘要

演示了n-Si(100)不经预先活化处理,可在碱性镀液中直接进行化学镀镍.考察了镀液pH值和温度对镀层中金属颗粒尺寸的影响,并运用能量耗散谱(EDS)分析了硅表面上化学镀层的元素组成.发现温度的提高或镀液pH值的降低会使沉积层中的金属颗粒尺寸增大.根据半导体电化学原理讨论了镍离子在硅表面还原的可能机理,化学镀镍晶种的形成主要归因于在碱性溶液中Si表面上水分子捕获半导体电子而产生原子氢.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴辉煌	厦门大学化学化工学院固体表面物理化学国家重点实验室	25	283	9.0	16.0
2	杨防祖	厦门大学化学化工学院固体表面物理化学国家重点实验室	57	701	16.0	23.0
3	胡光辉	厦门大学化学化工学院固体表面物理化学国家重点实验室	9	163	7.0	9.0