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稀磁半导体(Ga1-xFex)As的磁性及稳定性
稀磁半导体(Ga1-xFex)As的磁性及稳定性
作者:
危书义
夏从新
汪建广
王天兴
闫玉丽
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
稀磁半导体
电子能带计算
磁性
稳定性
摘要:
运用第一性原理下的LMTO-ASA方法研究稀磁半导体(Ga1-xFe x )As( x =1,1/2,1/4和1/8)的电子结构、磁性及其稳定性.计算了Fe掺杂浓度的变化对(Ga1-xFe x )As的磁性及稳定性的影响.
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文献信息
篇名
稀磁半导体(Ga1-xFex)As的磁性及稳定性
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
稀磁半导体
电子能带计算
磁性
稳定性
年,卷(期)
2004,(12)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1586-1590
页数
5页
分类号
TN304.7
字数
2931字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.008
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王天兴
河南师范大学物理与信息工程学院
23
82
5.0
7.0
2
危书义
河南师范大学物理与信息工程学院
37
99
5.0
7.0
3
夏从新
河南师范大学物理与信息工程学院
11
32
4.0
4.0
4
汪建广
河南师范大学物理与信息工程学院
6
4
2.0
2.0
5
闫玉丽
河南师范大学物理与信息工程学院
3
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引文网络
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节点文献
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同被引文献
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二级引证文献
(32)
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参考文献(1)
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半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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