多晶碘化汞厚膜的生长及其性质研究

• 作者: 史伟民 李莹 潘美军 郭燕明 雷平水
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碘化汞 多晶 厚膜 物理气相沉积
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 109-113
• 页数: 5页
• 分类号: O782.7
• 字数: 2963字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.024

摘要

采用热壁物理气相沉积法(hot-wall PVD)制备HgI2多晶厚膜,采用XRD、金相显微镜等手段对其进行表征,结果表明多晶HgI2厚膜呈定向(001)晶向生长且晶粒尺寸大小均匀.并分析讨论了不同温度对厚膜生长的影响.通过对其I-V特性的测试表明其具有高的电阻率(达1011Ω*cm)和较好的线性关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	史伟民	上海大学材料科学与工程学院	56	313	10.0	14.0
2	雷平水	上海大学材料科学与工程学院	5	38	4.0	5.0
3	李莹	上海大学材料科学与工程学院	13	48	4.0	6.0
4	潘美军	上海大学材料科学与工程学院	4	30	3.0	4.0
5	郭燕明	上海大学材料科学与工程学院	6	43	4.0	6.0