CdO对In2O3电导和气敏性能的影响

• 作者: 侯长平 刘杏芹 方大儒 李永红 沈玲 葛秀涛
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 化学
• 关键词: 电子技术 In1.98Cd0.02O3传感器 CdIn× 电导率 C2H5OH 气敏性能
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 17-18,28
• 页数: 3页
• 分类号: O649.4
• 字数: 1842字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.09.007

摘要

为探索新型CdO-In2O3材料的气敏性能,用化学共沉淀法制备了CdO掺杂的In2O3微粉,研究了CdO掺杂对In2O3电导和气敏效应的影响.结果表明:CdO和In2O3间能形成有限固溶体In2-xCdxO3(0≤x≤0.02);In1.98Cd0.02O3的电导比纯In2O3小得多;900℃下热处理4 h所得的x(CdO)为2%的In2O3传感器在183℃工作温度下,对45 μmol·L-1C2H5OH的灵敏度达276、响应-恢复时间只有3s和180s.有望开发为一类新型酒敏材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛秀涛	滁州学院化学系	79	245	8.0	9.0
2	李永红	滁州学院化学系	52	257	9.0	12.0
3	刘杏芹	中国科学技术大学材料科学与工程系	52	523	13.0	18.0
4	方大儒	滁州学院化学系	2	10	2.0	2.0
5	沈玲	滁州学院化学系	17	115	6.0	9.0
6	侯长平	滁州学院化学系	15	69	5.0	7.0