GaN基量子阱的激子跃迁和光学性质

• 作者: 熊飞
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN/GaN多量子阱 光致发光谱(PL) 光致发光激发谱(PLE) 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 学生园地
• 页码范围: 46-48
• 页数: 3页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2536字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-4642.2004.05.016

摘要

采用光致发光谱、光致发光激发谱以及拉曼光谱对GaN基量子阱材料进行了实验观察和分析.实验结果表明样品中量子点结构不均匀及InGaN层中In成分分布不均匀, 且其光致发光谱的波峰是由自由激子辐射复合发光引起的.同时由室温下InGaN/GaN量子阱的拉曼谱可得知InGaN/GaN多量子阱的结构特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊飞	武汉大学物理科学与技术学院	3	34	2.0	3.0