金属-半导体超晶格中界面电荷的生成机理

• 作者: 李书平 王仁智
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Schottky势垒 界面电荷
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 2925-2930
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4448字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.09.022

摘要

采用LMTO-ASA能带计算方法,研究(Si2)3(2Al)6(001),(Ge2)3(2Al)6(001),(Ge2)3(2Au)6(001)和(Ge2)3(2Ag)6(001)超晶格中半导体界面电荷Qss的生成机理,结果发现,金属-半导体相互接触时,接触界面处半导体原子与金属原子之间发生价电子重新分布和转移,导致半导体表面原子层偏离电中性而呈现出半导体界面净电荷Qss.该界面电荷Qss的生成与Tung新近提出的金属-半导体界面化学键的"化学键极化"模型物理实质大致相同,两者都能说明界面处金属原子和半导体原子整齐排列为单晶(不涉及半导体表面态)的Schottky势垒中仍然会生成界面电荷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李书平	厦门大学物理学系	23	51	3.0	5.0
2	王仁智	厦门大学物理学系	14	35	3.0	5.0