GaN 纳米结构的制备

• 作者: 刘建强 杨莺歌 肖洪地 薛成山 马洪磊 马瑾
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 纳米结构 制备 后氮化技术
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 455-457
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 1540字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.001

摘要

提出一种通过对溅射Ga2O3薄膜后氮化技术制备GaN纳米结构的方法,已成功地制备出 GaN 纳米线、纳米棒和纳米带.该方法既不需要催化剂,也不需要模板限制,不仅避免了杂质污染,而且简化了纳米结构的制造工艺,对于纳米结构的应用非常有利.利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAD)研究了 GaN 纳米结构的形貌和晶格结构.结果表明 GaN 纳米结构是具有六角纤锌矿结构的 GaN 晶体,不存在 Ga2O3 或 Ga 的其他相.研究结果证明在高温氮化过程中由于晶格缺陷的降低和晶化的改进能够得到高质量的 GaN 晶体.简要地讨论了GaN 纳米结构的生长机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马瑾	山东大学物理与微电子学院	44	495	13.0	20.0
2	马洪磊	山东大学物理与微电子学院	58	681	15.0	23.0
3	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
4	刘建强	山东大学物理与微电子学院	47	225	8.0	12.0
5	肖洪地	山东大学物理与微电子学院	25	162	7.0	11.0
6	杨莺歌	山东大学物理与微电子学院	8	124	5.0	8.0