添加Na+对ANT系统介电性能的影响

• 作者: 余昊明 吴霞宛 张志萍 李玲霞 王洪儒 郭炜
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高频高介 ANT 松弛极化 介电损耗
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 823-826
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2143字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.04.019

摘要

Ag2O-Nb2O5-Ta2O5陶瓷系统(简称ANT)是一种新型的高频高介陶瓷材料,可 以在1150℃以下进行中温烧结.在本系统中,添加Na+离子置换ANT系统中的A位Ag+ 离子形成ANNT系统,通过XRD,SEM以及能谱分析发现,少量Na+添加,导致晶格参数下 降,即八面体空隙的体积将减小,从而抑制了Nb5+的松弛极化,有效地降低了ANT系统的 损耗因子,使系统的介电性能达到:ε＞500,tg δ≤5×10-4,容量温度系数αc=+12ppm/℃, ρv＞1012Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴霞宛	天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	52	469	11.0	19.0
2	王洪儒	天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	31	256	10.0	15.0
3	郭炜	天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	27	163	6.0	11.0
4	张志萍	天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	26	288	9.0	16.0
5	李玲霞	天津大学电子信息学院先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室	36	308	11.0	15.0