高纯氧化铍陶瓷基片及金属化研究

• 作者: 方天恩 龚金荣
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铍陶瓷基片 金属化
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 陶瓷-金属封接技术进步和应用专辑
• 页码范围: 60-62
• 页数: 3页
• 分类号: TB756
• 字数: 2448字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2004.04.020

摘要

氧化铍陶瓷原料纯度、杂质含量、煅烧温度、颗粒度分布、成型方法、烧结曲线陶瓷基片十分重要.特别是成瓷后的基片晶粒大于45 μm,直接影响抗折强度、体积密度、金属化抗拉强度(晶粒粗大抗拉强度低于30 MPa),氧化铍陶瓷基片采用轧膜成型,由于轧膜成型具有方向性,坯件中水分含量控制不严(南方坯件容易吸潮),烧成坯件有收缩变化,使基片产生开裂变形及翘曲,对金属化印刷、电镀及键合强度具有不同程度的影响.本文通过原料制备、成型、烧成等工艺进行研究控制,使氧化铍陶瓷基片及金属化的合理性、稳定性得到进一步提高和完善.