Si基光电子学的研究与展望

• 作者: ZHAO X W 傅广生 彭英才 王英龙
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光电子学 直接带隙Si基低维材料 晶粒有序Si基纳米材料 稳定高效Si基发光器件 全Si光电子集成
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 273-285
• 页数: 13页
• 分类号: TN20|O471.1
• 字数: 13450字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2004.03.001

摘要

Si基光电子学是为顺应二十一世纪以现代光通信和光电子计算机为主的信息科学技术发展需要,在全世界范围内迅速兴起的一个极为活跃的研究前沿.其最终目标之一是为了实现人们所期盼的全Si光电子集成电路.本文尝试性地评论了这一集Si材料技术、纳米技术、微电子技术以及光电子技术为一体的新型交叉学科,近年来在直接带隙Si基低维材料的设计、晶粒有序Si基纳米材料的制备与稳定高效Si基发光器件的探索等方面所取得的若干重要研究进展,并预测了全Si光电子集成技术的未来发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅广生	河北大学物理科学与技术学院	184	817	13.0	17.0
2	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0