Si3N4陶瓷电化学研磨特性及机理分析

• 作者: 王闯 翟文杰
• 来源期刊: 摩擦学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅 外加电压 电化学研磨 摩擦磨损性能
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 360-363
• 页数: 4页
• 分类号: TH117.3
• 字数: 2696字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0595.2004.04.016

摘要

采用自制的全程方向渐变型恒速平面研磨试验机考察了Si3N4陶瓷球在水基介质润滑下同灰铸铁HT250和45#钢配副时的电化学研磨特性,分析了外加电压对摩擦磨损性能的影响机理;并采用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析了外加电压极性对Si3N4陶瓷球摩擦磨损性能的影响.结果表明,对金属盘施加正向电压导致Si3N4陶瓷球磨痕明显增大,而摩擦系数基本保持不变;施加反向电压则可使摩擦系数及Si3N4磨痕明显减小;在对比分析基础上筛选得到了兼具较高研磨效率和良好研磨表面质量的优化研磨方案,可用于Si3N4陶瓷高效研磨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翟文杰	哈尔滨工业大学机电学院	44	298	10.0	15.0
2	王闯	哈尔滨工业大学机电学院	11	166	6.0	11.0