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摘要:
基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚甲基乙烯基硅氧烷微分析芯片的制作上.
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文献信息
篇名 硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 硅材料 湿法刻蚀 凸角补偿 微分析芯片
年,卷(期) 2004,(6) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 477-479,483
页数 4页 分类号 TN304.12
字数 2066字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.06.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 童爱军 清华大学化学系 25 226 8.0 14.0
2 孙洋 1 7 1.0 1.0
3 钱可元 1 7 1.0 1.0
4 雷建都 清华大学化学系 2 7 1.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
硅材料
湿法刻蚀
凸角补偿
微分析芯片
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
总被引数(次)
22967
相关基金
国家重点基础研究发展计划(973计划)
英文译名:National Basic Research Program of China
官方网址:http://www.973.gov.cn/
项目类型:
学科类型:农业
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
论文1v1指导