CMOS工艺的低相位噪声LC VCO设计

• 作者: 张立国 徐勇 李智群 王志功
• 来源期刊: 东南大学学报(英文版)
• 学科: 工学
• 关键词: 射频集成电路 CMOS工艺 混合信号晶体管 射频晶体管 压控振荡器 相位噪声
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 6-9
• 页数: 4页
• 分类号: TN402
• 字数: 512字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2004.01.002

摘要

本文介绍了用0.18μm 6层金属混合信号/射频 CMOS工艺设计的2个 LC谐振压控振荡器及测试结果, 并给出了优化设计的方法和步骤. 第1个振荡器采用混合信号晶体管设计, 振荡频率为2. 64GHz, 相位噪声为-93. 5dBc/Hz@500kHz. 第2个振荡器使用相同的电路结构, 采用射频晶体管设计, 振荡频率为2. 61GHz, 相位噪声为-95.8dBc/Hz＠500kHz. 在2V电源下, 它们的功耗是8mW, 最大输出功率分别为-7dBm和-5.4dBm. 2个振荡器均使用片上元件实现, 电路的集成简单可靠.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	李智群	东南大学射频与光电集成电路研究所	76	576	10.0	20.0
3	张立国	东南大学射频与光电集成电路研究所	9	50	3.0	7.0
4	徐勇	东南大学射频与光电集成电路研究所	18	101	6.0	9.0