一水甲酸锂晶体生长界面过饱和度的测量

• 作者: 于锡铃 殷绍唐 王燕
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 一水甲酸锂晶体 边界层 界面过饱和度
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 982-986
• 页数: 5页
• 分类号: O782.1
• 字数: 3153字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.023

摘要

本文采用激光全息相衬干涉显微术研究了有机非线性光学晶体一水甲酸锂晶体的生长,计算了晶体生长的界面过饱和度.我们的研究结果表明,晶体生长的界面过饱和度随体过饱和度的增加而非线性增加;不同晶面的界面过饱和度不同;当体过饱和度增加到一定程度时,不同晶面的界面过饱和度趋于相同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	殷绍唐	中国科学院安徽光学精密机械研究所	76	682	14.0	22.0
2	王燕	上海大学物理系	34	105	6.0	9.0
3	于锡铃	山东大学晶体材料国家重点实验室	1	2	1.0	1.0