掺钨二氧化钒薄膜的制备与分析

• 作者: 刘向 崔敬忠 李智 梁耀廷
• 来源期刊: 真空与低温
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 相变 二氧化钒 薄膜
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 85-88
• 页数: 4页
• 分类号: O484.|TB43
• 字数: 2100字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-7086.2004.02.006

摘要

通过凋研国内外的各种制备方法,比较它们的优缺点后,选用磁控溅射法.在硅片上得到了电阻变化2个数量级的二氧化钒(VO2)薄膜.对薄膜进行电学性能的测试,结果表明:掺钨后二氧化钒薄膜的相变温度比纯的二氧化钒薄膜相变温度有所降低,掺钨后薄膜的近红外透射率也随之减小.通过X射线衍射和X射线光电子谱对薄膜的微观结构和组分进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁耀廷		7	61	4.0	7.0
2	崔敬忠		15	208	8.0	14.0
3	李智		3	54	3.0	3.0
4	刘向		2	46	2.0	2.0