掩埋式弱限制MMI的性能模拟

• 作者: 夏君磊 安俊明 李健 胡雄伟 郜定山
• 来源期刊: 光学技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多模干涉 弱限制 精确模式分析
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 光学元器件
• 页码范围: 522-524,528
• 页数: 4页
• 分类号: TN256
• 字数: 2409字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1002-1582.2004.05.016

摘要

采用精确模式分析方法(EMA)对一种掩埋式折射率差为0.47%的弱限制MMI进行了数值模拟,通过和强限制MMI对比表明,这种弱限制的MMI可以实现良好的均衡性(9.7×10-4dB)和附加损耗(0.13dB),比强限制MMI具有更大的带宽,更好的宽度和长度容差性.虽然这种弱限制MMI的最小附加损耗和最佳均衡性不能在同一长度同时获得,但由于其良好的容差性,在最佳均衡性长度处仍能获得低于0.8dB的附加损耗.用紫外写入波导的方法制作掩埋式结构的弱限制MMI器件是可行的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏君磊	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	11	27	3.0	4.0
2	安俊明	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	45	77	5.0	6.0
3	胡雄伟	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	41	134	6.0	9.0
4	李健	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	92	1070	17.0	31.0
5	郜定山	中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心	13	42	4.0	6.0