聚酰亚胺纳米复合薄膜的低温电气强度研究

• 作者: 付绍云 张以河 李元庆 李明 李艳 杨士勇 肖立业
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 纳米复合材料 聚酰亚胺/蒙脱土 聚酰亚胺/云母 聚酰亚胺/SiO2 低温介电强度
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 性能研究
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TM215.3|TQ323.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2004.05.007

摘要

介绍了在77K的低温条件下复合薄膜电气强度的测试方法,研究了聚酰亚胺/蒙脱土、聚酰亚胺/云母、聚酰亚胺/SiO23个系列的低温电气强度,分析了填料含量等因素对薄膜电气强度的影响.研究结果表明:前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同,均存在最佳填料含量,聚酰亚胺/蒙脱土系列电气强度最佳可达215.77MV/m;而聚酰亚胺/SiO2系列,电气强度比纯PI薄膜略有下降,且含量较高时下降明显,但仍然可以满足应用的要求.