气压对VHF-PECVD制备的μc-Si:H 薄膜特性影响的研究

• 作者: 任慧志 侯国付 孙建 张德坤 张晓丹 朱锋 熊绍珍 耿新华 薛俊明 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积 氢化微晶硅薄膜 傅立叶变换红外光谱 X射线衍射 微区喇曼光谱
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 414-418
• 页数: 5页
• 分类号: TK51
• 字数: 2651字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.033

摘要

本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品.结果表明:沉积速率随反应气压的增大而逐渐增大;光敏性(光电导/暗电导)和激活能测试结果给出了相同的变化规律;傅立叶红外测试、X射线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性;通过工艺的具体优化得出了器件级的微晶硅材料.