GaN HFET研究的最新进展

• 作者: 薛舫时
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HFET 二维场结构和电子态 纳米金属介质层 应变能带工程 介质势垒
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 1-13
• 页数: 13页
• 分类号: TN386
• 字数: 13418字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2004.09.001

摘要

综述了GaN HFET研究中材料生长和工艺研究的新进展,介绍了器件向高频、大功率方向发展的现状及其应用前景,总结了优化器件性能和商品化问题中的二维场结构和电子态、纳米金属介质层、应变能带工程及介质势垒等重要课题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛舫时		30	154	7.0	11.0