GaN基稀磁半导体的离子注入研究动态

• 作者: 林玲 石瑛 蒋昌忠
• 来源期刊: 材料导报
• 关键词: GaN 稀磁半导体 离子注入
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 本期专题:半导体材料
• 页码范围: 67-71
• 页数: 5页
• 字数: 5206字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-023X.2004.09.021

摘要

离子注入掺Mn的GaN基稀磁半导体,由于具有高于室温的居里温度及一系列独特性质而受到广泛重视.综述了GaN基稀磁半导体离子注入的近期研究成果,讨论了能量、剂量、温度、束流、退火条件等因素对GaMnN结构和性能的影响,并对GaMnN中铁磁性的起源,就理论和实验两方面的结果作了讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋昌忠	武汉大学物理科学与技术学院	43	191	9.0	11.0
2	林玲	武汉大学物理科学与技术学院	45	579	9.0	24.0
3	石瑛	武汉大学物理科学与技术学院	16	128	7.0	11.0