超大规模集成电路中的电沉积铜

• 作者: 周绍民 姚士冰 杨防祖 辜敏 黄令
• 来源期刊: 电镀与精饰
• 学科: 工学
• 关键词: 铜 电沉积 微刻槽 填充 超大规模集成电路
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 12-17
• 页数: 5页
• 分类号: TQ153.14
• 字数: 3150字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3849.2004.01.004

摘要

利用铜代替铝作为超大规模集成电路的互连接线,代表了半导体工业的重要转变.铜电沉积是互连"大马士革"(Damascene)工艺中最为重要的技术之一.综述了铜在芯片微刻槽中电沉积填充的过程、机理,并着重讨论了实现无裂缝和无空洞理想填充的主要因素-镀液的组成和添加剂的影响.