强流脉冲质子束轰击19F靶产生6-7MeV准单能脉冲γ射线初步实验研究

• 作者: 任书庆 何小平 孙剑锋 张嘉生 张国光 彭建昌 李鹏 杨海亮 杨莉 欧阳晓平 汤俊萍 王海洋 许日 邱爱慈 黄建军
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 准单能脉冲γ射线 强流脉冲质子束 PIN探测器 光电倍增管 飞行时间 轫致辐射
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 低能加速器技术、射线技术及应用
• 页码范围: 188-192
• 页数: 5页
• 分类号: O571.42|O571.32|TL81|TL58
• 字数: 3014字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2004.03.008

摘要

给出了利用PIN半导体探测器和ST401塑料闪烁体配合光电倍增管测量的强流脉冲质子束轰击含19F核素的靶产生的6-7MeV准单能脉冲γ射线的初步实验结果.理论上计算了质子束轰击C2F4靶产生的准单能脉冲γ射线产额和核反应截面随入射质子能量的变化曲线,提出了采用质子束传输法分离和降低轫致辐射干扰的方法,利用ST401配合光电倍增管和PIN半导体探测器测量了质子传输不同距离后轰击C2F4靶产生的6-7MeV准单能脉冲γ射线谱以及相对于轫致辐射的时间延迟数据,并根据飞行时间确定了束流峰值时刻的质子能量,还通过实验验证了Cu、Cr和不锈钢靶及其中所含的杂质不能产生明显的其它能量的γ射线干扰.