CsI(Tl)闪烁晶体研究进展

• 作者: 杨春晖 郭亚军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 闪烁晶体 探测器 CsI(Tl) 晶体生长
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 77-80
• 页数: 4页
• 分类号: O799
• 字数: 2987字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.017

摘要

CsI(Tl)闪烁晶体光产额高于BGO晶体4倍多,辐照长度较NaI(Tl)晶体短,机械性能好,是一种优良实用的闪烁晶体材料.CsI(Tl)晶体的发光中心包括激活剂发光中心[Tl(Ⅰ)和Tl(Ⅱ)]和辐照诱导缺陷发光中心.CsI(Tl)晶体的发射谱峰值位于550nm,能与硅光二极管配合组成性能优良的探测器,广泛应用于核技术和高能物理等领域.目前主要采用坩埚下降法和连续加料法生长.本文综述了CsI(Tl)闪烁晶体的生长、缺陷、闪烁性能及其应用领域的研究与发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春晖	哈尔滨工程大学化学工程系	59	300	9.0	14.0
2	郭亚军	哈尔滨工程大学化学工程系	47	468	13.0	19.0