基片温度对Fe-N化合物薄膜制备及磁性能的影响

• 作者: 郭治天 韩奎
• 来源期刊: 电工材料
• 关键词: 基片温度 Fe-N薄膜 晶粒取向 磁性能
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TM201.45
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-8887.2004.01.007

摘要

用 X射线衍射仪和振动样品磁强计研究了双离子束溅射法制备的 Fe- N 薄膜的相组成和磁性能.结果表明,基片温度对不同基片上制得的薄膜的结构和磁性能有显著影响.基片温度为 250℃和 300℃时,在(111)硅片基片上制得无晶粒择优取向的单一γ′- Fe4N相;基片温度为160℃时,可在玻璃基片上制得具有(100)面晶粒取向的单一γ′- Fe4 N 相薄膜.薄膜磁性测量表明,与无晶粒择优取向的γ′- Fe4 N 相比较,具有(100)面晶粒取向的γ′- Fe4 N相的矫顽力较低,易达到磁饱和,但二者的饱和磁化强度基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩奎	中国矿业大学理学院	64	165	7.0	9.0
2	郭治天	中国矿业大学理学院	18	63	4.0	7.0