在预涂陶瓷过渡层的多谱段ZnS衬底上沉积金刚石膜的探索研究

• 作者: 余怀之 佟玉梅 吕反修 唐伟忠 李成明 杨海 程宏范 郭会斌 陈广超 高旭辉
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硫化锌 金刚石膜涂层 陶瓷过渡层 诱导形核 微波等离子体CVD
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 页码范围: 105-108
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.023

摘要

本文采用真空电子束蒸镀技术在多谱段ZnS衬底上沉积了适合金刚石膜沉积的致密陶瓷过渡层,并利用微波等离子体CVD金刚石膜低温沉积技术进行了金刚石膜沉积研究.发现在陶瓷过渡层上的金刚石形核极其困难,其原因可能是陶瓷涂层在沉积过程中龟裂导致ZnS蒸汽扩散逸出干扰金刚石形核所致.本文采用诱导形核技术在过渡层/ZnS试样表面观察到极高密度(1010/cm2)的金刚石形核,并对金刚石/过渡层/ZnS试样的红外透过特性进行了评价.