锑掺杂二氧化锡薄膜的导电机理及其理论电导率

• 作者: 唐朝波 唐谟堂 张保平 杨声海 杨建广
• 来源期刊: 中国粉体技术
• 关键词: 锑掺杂二氧化锡 电导率 导电机理
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 理论研究
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TB34|TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-5548.2004.04.001

摘要

归纳总结了锑掺杂二气化锡(ATO)的导电机理,晶格的氧缺位、5价Sb杂质在SnO2禁带形成施主能级并向导带提供n-型载流子是ATO导电的两种主要机理.从材料的电导率公式出发,定性分析了二氧化锡中掺杂锑的含量存在理论最佳值,根据已有模型计算证明了锑掺杂二氧化锡电导率存在理论上限.掺杂二氧化锡中锑的最佳理论含量为1.49%(质量分数),锑掺杂二氧化锡理论电导率最高为0.2×104(Ω·cm)-1,氧空位对ATO电导率的贡献为0.1392×104(Ω·cm)-1,大于掺杂电子对ATO电导率的贡献(0.061×104(Ω·cm)-1).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐谟堂	中南大学冶金科学与工程学院	171	2152	26.0	34.0
2	杨声海	中南大学冶金科学与工程学院	120	1329	21.0	29.0
3	张保平	中南大学冶金科学与工程学院	18	441	14.0	18.0
4	唐朝波	中南大学冶金科学与工程学院	72	679	16.0	22.0
5	杨建广	中南大学冶金科学与工程学院	57	544	15.0	21.0