SiGe共振腔增强型探测器的制备

• 作者: 余金中 左玉华 成步文 时文华 李传波 毛荣伟 王启明 罗丽萍 赵雷
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RCE 探测器 SOI SiGe
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1576-1579
• 页数: 4页
• 分类号: TN215
• 字数: 2044字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.006

摘要

利用SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型SiGe探测器.底镜沉积于EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内,在1.2～1.5μm范围内,反射率高达99%.探测器的共振峰在1.344μm,光响应为1.2mA/W.与普通结构的探测器相比,文中所报道的探测器光响应有8倍的增强.