硅烷浓度对本征微晶硅材料的影响

• 作者: 孙建 张晓丹 朱锋 耿新华 赵颖 魏长春
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: VHF-PECVD 微晶硅 光发射谱
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1624-1627
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 1881字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.015

摘要

利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积微晶硅材料.随硅烷浓度的降低,材料晶化率增加,材料的光学带隙在1.5～1.65eV之间,材料的电导率先增加后减小.采用光发射谱测量技术对辉光进行在线测量,研究沉积条件对VHF等离子体和微晶硅材料特性的影响.实验表明,等离子中的SiH 和H α对微晶硅材料特性有重要的影响,硅烷浓度为2%～4%时,等离子体中H α/SiH 的比值处于0.6～0.9,可以得到晶化率在40%～55%的微晶硅材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱锋	南开大学光电子所	13	154	7.0	12.0
2	耿新华	南开大学光电子所	62	364	13.0	17.0
3	孙建	南开大学光电子所	67	311	10.0	14.0
4	赵颖	南开大学光电子所	105	1195	16.0	33.0
5	张晓丹	南开大学光电子所	57	247	7.0	14.0
6	魏长春	南开大学光电子所	24	126	6.0	10.0