退火对AlGaInP/GaInP多量子阱 LED外延片性能的影响

• 作者: 周天明 孙慧卿 李述体 王浩 范广涵 郑树文 郭志友
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlGaInP AlGaInP/GaInP多量子阱 金属有机化学气相沉积 电化学电容电压分析 光致发光
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 510-514
• 页数: 5页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 3537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.05.008

摘要

采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片.研究表明退火对外延片性能有重要影响.与未退火样品相比,460℃退火15 min,外延片p型GaP层的空穴浓度由5.6×1018cm-3增大到6.5×1018cm-3,p型AlGaInP层的空穴浓度由6.0×1017cm-3增大到1.1×1018cm-3.但退火温度为780℃时,p型GaP层和p型AlGaInP层的空穴浓度分别下降至8×1017cm-3和1.7×1017cm-3,且Mg原子在AlGaInP系材料中的扩散加剧,导致未掺杂AlGaInP/GaInP多量子阱呈现p型电导.在460～700℃退火范围内,并没有使AlGaInP/GaInP多量子阱的发光性能发生明显变化.但退火温度为780℃时,AlCaInP/GaInP多量子阱的发光强度是退火前的2倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	王浩	华南师范大学光电子材料与技术研究所	14	108	5.0	10.0
3	孙慧卿	华南师范大学光电子材料与技术研究所	25	272	9.0	16.0
4	李述体	华南师范大学光电子材料与技术研究所	39	180	7.0	11.0
5	郑树文	华南师范大学光电子材料与技术研究所	33	128	7.0	8.0
6	周天明	华南师范大学光电子材料与技术研究所	16	75	6.0	8.0