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摘要:
介绍了阵列波导光栅(AWG)在设计中要考虑的主要结构参数,制作材料,误差来源等.论述了利用CVD制作AWG所需SiO2光波导的化学过程及其特点,给出了我们制作的光波导的测试数据.给出了通过调整局部设计数据而得到的较好面型的激光直写AWG图形.介绍了我们利用RIE刻蚀得到的AWG实验晶片和利用ICP刻蚀AWG的可行性.
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适用于阵列波导光栅制作的厚SiO2陡直刻蚀技术
阵列波导光栅(AWG)
SiO2
感应耦合等离子体刻蚀(ICP)
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
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文献信息
篇名 阵列波导光栅制作关键技术
来源期刊 光子技术 学科 工学
关键词 阵列波导光栅 关键工艺 激光直写光刻 ICP反应离子刻蚀
年,卷(期) 2004,(2) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 77-80
页数 4页 分类号 TH7
字数 3716字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杜春雷 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室 72 596 14.0 18.0
2 邱传凯 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室 23 186 9.0 12.0
3 郑国兴 中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室 3 21 3.0 3.0
传播情况
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引文网络
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二级参考文献  (0)
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参考文献  (3)
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1997(1)
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2007(2)
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研究主题发展历程
节点文献
阵列波导光栅
关键工艺
激光直写光刻
ICP反应离子刻蚀
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光子技术
季刊
44-1601/TN
大16开
广东省深圳市
2003
chi
出版文献量(篇)
229
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总被引数(次)
967
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