扩镓Si基溅射Ga2O3氮化反应生长GaN薄膜

• 作者: 孙振翠 曹文田 王书运 薛成山
• 来源期刊: 分析测试学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 射频磁控溅射 Ga2O3薄膜 GaN薄膜 扩镓硅基
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: O722.4|O78
• 字数: 2555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4957.2004.06.018

摘要

采用射频磁控溅射在扩镓硅基上溅射Ga2O3氮化反应生长GaN薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、光电能谱(XPS)和荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌、组分和发光特性的分析.XRD、SAED和XPS分析证明,采用此方法得到六方纤锌矿结构的GaN多晶膜.SEM显示薄膜由均匀、结合紧密的纳米微晶粒组成,其直径约为50～100 nm.PL发光谱显示位于344 nm处,相对于365 nm明显蓝移的带边峰,此发光峰应归功于自由载流子的复合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王书运	山东师范大学物理与电子科学学院	57	450	11.0	19.0
2	薛成山	山东师范大学物理与电子科学学院	117	476	11.0	13.0
3	孙振翠	山东交通学院基础部	6	11	2.0	3.0
4	曹文田	山东师范大学物理与电子科学学院	18	40	3.0	5.0